ビルドアップ基板
■ 標準的な仕様のビルドアップ基板からインターポーザー用ビルドアップ基板まで
多彩なラインナップで、製品の小型化,高密度化に貢献します。
<特長>
- 通常ビルドアップ基板(150umVIAピッチ対応)
- L/S=40/40umの対応が可能です。(サブトラクティブ工法)
- LVH径/LVHランド径=75/150um、LVHピッチ150umの対応が可能です。
- 用途に応じて様々な構造の選択が可能です。(スパイラル構造,スタック構造,エニーレイヤー構造等)
- 層数は4層より任意の層数に対応可能です。
- 総板厚は0.3㎜Min(4層1-2-1ビルドアップ時)より対応可能です。
- モジュール用途からマザー用途まで幅広く適用が可能です。
- インターポーザー用ビルドアップ基板
- L/S=20/20umの対応が可能です。(セミアディティブ工法時)
- LVH径/ランド径=60/90um,LVHピッチ150umの対応が可能です。
- コア25um,プリプレグ20umの使用により、薄板化が可能となります。
- 【薄板構成例】
- 4層1-2-1エニーレイヤー構造:0.18mm
- 6層2-2-2エニーレイヤー構造:0.25mm *表裏レジスト間
- モジュール用途や半導体パッケージ用途に最適です。
■主要デザインルール
< 通常ビルドアップ基板 設計ルール >
-
スパイラル構造
-
スタック構造
-
エニーレイヤー構造
単位: µm
構 造 | スパイラル構造/ スタック構造 | エニーレイヤー構造 | |||||||
項 目 | 記 号 | 標準仕様 | ファイン仕様 | 記 号 | 標準仕様 | ファイン仕様 | |||
パターン/スペース | ビルドアップ層 | A/A’ | 75/75 | 40/40 | A/A’ | 75/75 | 40/40 | ||
コア層 | B/B’ | 75/75 | 40/40 | ー | ー | ー | |||
貫通スルーホール | ドリル径 | C | 300 | 250 | B | 300 | 250 | ||
ランド径 | 外 層 | D | 550 | 450 | C | 550 | 450 | ||
内 層 | E | 600 | 500 | D | 600 | 500 | |||
IVH | ドリル径 | F | 250 | 200 | ー | ー | ー | ||
ランド径 | 外 層 | G | 500 | 400 | ー | ー | ー | ||
内 層 | H | 500 | 450 | ー | ー | ー | |||
レーザービア | ビア径 |
I | 100 | 75 | E | 100 | 75 | ||
ビアランド径 |
J | 250 | 150 | F | 200 | 150 | |||
層間厚み | ビルドアップ層 |
K | 60 | 40 | G | 60 | 40 | ||
コア層 | L | 100 | 60 | H | 60 | 40 |
< インターポーザー用ビルドアップ基板 設計ルール>
層構成例(6層 2-2-2エニーレイヤー構造)
-
-
6層エニーレイヤー構造:
t=0.25mm-
-
設計値 絶縁層 導体層 - 15µm
- 20µm
- 20µm
- 25µm
- 20µm
- 20µm
- 15µm
- 17µm
- 17µm
- 17µm
- 17µm
- 17µm
- 17µm
-
L/S=20/20um拡大
-
単位: µm
項 目 | 記 号 | 標準仕様 | ||
パターン/スペース | ビルドアップ層 | A/A’ | 20/20 | |
貫通スルーホール | ドリル径 | B | 300 | |
ランド径 | 外 層 | C | 550 | |
内 層 | D | 600 | ||
レーザービア | ビア径 | E | 60 | |
ビアランド径 | F | 90 | ||
層間厚み | ビルドアップ層 | G | 20 | |
コア層 | H | 25 |
薄板仕様は通常ビルドアップ基板にも適用可能です。
- 薄板仕様は通常ビルドアップ基板にも
適用可能です。
層構成や仕様等、詳細につきましては個別にご回答差し上げますので、
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