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ビルドアップ基板

標準的な仕様のビルドアップ基板からインターポーザー用ビルドアップ基板まで
  多彩なラインナップで、製品の小型化,高密度化に貢献します。

<特長>

  • 通常ビルドアップ基板(150umVIAピッチ対応)
  • L/S=40/40umの対応が可能です。(サブトラクティブ工法)
  • LVH径/LVHランド径=75/150um、LVHピッチ150umの対応が可能です。
  • 用途に応じて様々な構造の選択が可能です。(スパイラル構造,スタック構造,エニーレイヤー構造等)
  • 層数は4層より任意の層数に対応可能です。
  • 総板厚は0.3㎜Min(4層1-2-1ビルドアップ時)より対応可能です。
  • モジュール用途からマザー用途まで幅広く適用が可能です。
  • インターポーザー用ビルドアップ基板
  • L/S=20/20umの対応が可能です。(セミアディティブ工法時)
  • LVH径/ランド径=60/90um,LVHピッチ150umの対応が可能です。
  • コア25um,プリプレグ20umの使用により、薄板化が可能となります。
    • 【薄板構成例】
    • 4層1-2-1エニーレイヤー構造:0.18mm
    • 6層2-2-2エニーレイヤー構造:0.25mm *表裏レジスト間
  • モジュール用途や半導体パッケージ用途に最適です。

主要デザインルール

< 通常ビルドアップ基板 設計ルール >
  • スパイラル構造
    スパイラル構造

  • スタック構造
    スタック構造

  • エニーレイヤー構造
    エニーレイヤー構造

単位: µm

構 造 スパイラル構造/ スタック構造 エニーレイヤー構造
項 目 記 号 標準仕様 ファイン仕様 記 号 標準仕様 ファイン仕様
パターン/スペース ビルドアップ層 A/A’ 75/75 40/40 A/A’ 75/75 40/40
コア層 B/B’ 75/75 40/40
貫通スルーホール ドリル径 C 300 250 B 300 250
ランド径 外 層 D 550 450 C 550 450
内 層 E 600 500 D 600 500
IVH ドリル径 F 250 200
ランド径 外 層 G 500 400
内 層 H 500 450
レーザービア

ビア径

I 100 75 E 100 75

ビアランド径

J 250 150 F 200 150
層間厚み

ビルドアップ層

K 60 40 G 60 40
コア層 L 100 60 H 60 40
< インターポーザー用ビルドアップ基板 設計ルール>
  • 層構成例(6層 2-2-2エニーレイヤー構造)

    層構成例(6層 2-2-2エニーレイヤー構造)
      • 6層エニーレイヤー構造:
t=0.25mm

        6層エニーレイヤー構造:
        t=0.25mm

        • 設計値
          絶縁層 導体層
          • 15µm
          • 20µm
          • 20µm
          • 25µm
          • 20µm
          • 20µm
          • 15µm
          • 17µm
          • 17µm
          • 17µm
          • 17µm
          • 17µm
          • 17µm
    • L/S=20/20um拡大

      L/S=20/20um拡大

単位: µm

項 目 記 号 標準仕様
パターン/スペース ビルドアップ層 A/A’ 20/20
貫通スルーホール ドリル径 B 300
ランド径 外 層 C 550
内 層 D 600
レーザービア ビア径 E 60
ビアランド径 F 90
層間厚み ビルドアップ層 G 20
コア層 H 25

薄板仕様は通常ビルドアップ基板にも適用可能です。

  • 薄板仕様は通常ビルドアップ基板にも
    適用可能です。

層構成や仕様等、詳細につきましては個別にご回答差し上げますので、
お気軽にお問い合わせをお願い致します。